Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Научно-исследовательский институт в Москве, Россия
Институт проблем проектирования в микроэлектронике это научно-исследовательское учреждение в Москве, занимающееся автоматизацией проектирования нано- и микроэлектронных систем. Его лаборатории оснащены специализированным оборудованием для поддержки передовых исследований в этой области.
Учреждение было основано в 1986 году и работает под эгидой Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» в составе Российской академии наук. Эта принадлежность влияла на его развитие с момента создания.
Институт проводит регулярные научные конференции и соревнования, которые объединяют исследователей со всей России. Эти встречи стали важными местами для людей, работающих в области исследований и разработок микроэлектроники.
Институт расположен в выделенной исследовательской зоне Москвы с современными лабораторными помещениями. Посетителям следует знать, что это исследовательское учреждение с ограниченным доступом, и обычно требуется договориться заранее.
Учреждение сотрудничает с 11 технологическими компаниями для создания центра проектирования микроэлектроники полного цикла. Около 50 ученых и инженеров разрабатывают инновационные решения для полупроводниковой промышленности в этом совместном центре.
Сообщество любознательных путешественников
AroundUs объединяет тысячи отобранных мест, местные советы и скрытые жемчужины, ежедневно пополняемые 93 119 участниками по всему миру.
